券商研報(bào)顯示，雖然學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界很早認(rèn)識(shí)到SiC和GaN相對(duì)于傳統(tǒng)Si材料的優(yōu)點(diǎn)，但是由于制造設(shè)備、制造工藝與成本的劣勢(shì)，多年來(lái)只是在小范圍內(nèi)得到應(yīng)用，無(wú)法挑戰(zhàn)Si基器件的統(tǒng)治地位，但是隨著5G 、汽車等新市場(chǎng)出現(xiàn)，SiC/GaN不可替代的優(yōu)勢(shì)使得相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用加速。

隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛等新興應(yīng)用有望擾動(dòng)半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局，半導(dǎo)體投資具有確定的長(zhǎng)期投資價(jià)值，但是我國(guó)是半導(dǎo)體市場(chǎng)自給率較低，這也為我國(guó)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化提供了更多的機(jī)會(huì)，尤其是在貿(mào)易摩擦背景下，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代需求日益堅(jiān)定，而當(dāng)下火熱的科創(chuàng)浪潮也將成為半導(dǎo)體行業(yè)投資行情的核心驅(qū)動(dòng)力。

目前碳化硅是發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，碳化硅半導(dǎo)體材料在高溫、高頻、大功率、光電子以及抗輻射器件等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。目前導(dǎo)電型碳化硅襯底片材料主要應(yīng)用于新能源汽車、充電站、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域；半絕緣型碳化硅襯底片則主要應(yīng)用于5G通訊基站、大功率相控陣?yán)走_(dá)、衛(wèi)星通訊等領(lǐng)域。

得碳化硅者得天下

華創(chuàng)證券認(rèn)為，“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”。碳化硅材料實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，將打破國(guó)外壟斷，推動(dòng)國(guó)內(nèi)5G芯片技術(shù)和生產(chǎn)能力的提升。

但從差距上看，我國(guó)在碳化硅領(lǐng)域還沒有形成完整的產(chǎn)業(yè)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上大部分碳化硅功率器件依賴進(jìn)口，形成國(guó)際大廠壟斷局面。

中泰證券認(rèn)為，雖然學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界很早認(rèn)識(shí)到SiC和GaN相對(duì)于傳統(tǒng)Si材料的優(yōu)點(diǎn)，但是由于制造設(shè)備、制造工藝與成本的劣勢(shì)，多年來(lái)只是在小范圍內(nèi)得到應(yīng)用，無(wú)法挑戰(zhàn)Si基器件的統(tǒng)治地位，但是隨著5G 、汽車等新市場(chǎng)出現(xiàn)，SiC/GaN不可替代的優(yōu)勢(shì)使得相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用加速；隨著制備技術(shù)的進(jìn)步， SiC 與 GaN 器件與模塊在成本上已經(jīng)可以納入備選方案內(nèi)，需求拉動(dòng)疊加成本降低，SiC/GaN的時(shí)代即將迎來(lái)。

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